APT6029BLLG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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APT6029BLLG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 21.0 A

极性 N-CH

耗散功率 300 W

输入电容 2.61 nF

栅电荷 65.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT6029BLLG

型号： APT6029BLLG

制造商： Microsemi 美高森美

描述：功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETc

替代型号APT6029BLLG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
APT6029BLLG Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
APT6029BFLLG 美高森美	完全替代	APT6029BLLG和APT6029BFLLG的区别
STW21NM60ND 意法半导体	功能相似	APT6029BLLG和STW21NM60ND的区别
SPW16N50C3 英飞凌	功能相似	APT6029BLLG和SPW16N50C3的区别