极性 N-CH
耗散功率 780 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 56A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 8800pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 780W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册
APT56F50L
Microsemi 美高森美
当前型号
IXFK48N50
IXYS Semiconductor
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