APT77N60SC6

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APT77N60SC6中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 481W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 13600pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 481W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT77N60SC6
型号: APT77N60SC6
描述:超级结MOSFET Super Junction MOSFET
替代型号APT77N60SC6
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