APT102GA60B2

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APT102GA60B2概述

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 780000 mW. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT102GA60B2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 780000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 780 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: APT102GA60B2
描述:高速PT IGBT High Speed PT IGBT

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