APT5014BLLG

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APT5014BLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 35.0 A

极性 N-CH

耗散功率 403 W

输入电容 3.26 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 3261pF @25VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 403W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT5014BLLG
型号: APT5014BLLG
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
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