APT65GP60L2DQ2G

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APT65GP60L2DQ2G概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833000mW 3Pin3+Tab TO-264 MAX

You can use this IGBT transistor from as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 833000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.

APT65GP60L2DQ2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 198 A

耗散功率 833000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 833 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 833000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT65GP60L2DQ2G
型号: APT65GP60L2DQ2G
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833000mW 3Pin3+Tab TO-264 MAX

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