APT85GR120B2

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APT85GR120B2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 962000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 962 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 962000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT85GR120B2
型号: APT85GR120B2
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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