APT50GN120L2DQ2G概述
功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
This powerful and secure IGBT transistor from will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 543000 mW. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
APT50GN120L2DQ2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 134 A
耗散功率 543 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 543 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 543000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 26.49 mm
宽度 20.5 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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