通道数 1
漏源极电阻 90 mΩ
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT56F60B2 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFX48N60Q3 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT56F60B2和IXFX48N60Q3的区别 |
IXFT50N60P3 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT56F60B2和IXFT50N60P3的区别 |
IXFX48N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT56F60B2和IXFX48N60P的区别 |