APT5010LLLG

APT5010LLLG图片1
APT5010LLLG图片2
APT5010LLLG图片3
APT5010LLLG图片4
APT5010LLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 46.0 A

极性 N-CH

耗散功率 520W Tc

输入电容 4.36 nF

栅电荷 95.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 46.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 4360pF @25VVds

额定功率Max 520 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT5010LLLG
型号: APT5010LLLG
描述:功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
替代型号APT5010LLLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT5010LLLG

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

APT5010LFLLG

美高森美

类似代替

APT5010LLLG和APT5010LFLLG的区别

APT5010LFLL

美高森美

功能相似

APT5010LLLG和APT5010LFLL的区别

APT5010LLL

美高森美

功能相似

APT5010LLLG和APT5010LLL的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台