APT56M60B2

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APT56M60B2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 56.0 A

极性 N-CH

耗散功率 1040 W

输入电容 11.3 nF

栅电荷 280 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 56.0 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 11300pF @25VVds

额定功率Max 1040 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT56M60B2
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

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