通道数 1
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 41A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 8070pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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APT38F80B2 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFX38N80Q2 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT38F80B2和IXFX38N80Q2的区别 |