APT5010LVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 47.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 8.90 nF
栅电荷 470 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 7400pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT5010LVRG
型号： APT5010LVRG
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
替代型号APT5010LVRG
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT5010LVRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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