APT6015LVRG

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APT6015LVRG概述

TO-264 N-CH 600V 38A

Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? "s power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 520000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with power mos v technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

APT6015LVRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 38.0 A

极性 N-CH

耗散功率 520 W

输入电容 9.00 nF

栅电荷 475 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 38.0 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 7500pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264

外形尺寸

封装 TO-264

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT6015LVRG
型号: APT6015LVRG
描述:TO-264 N-CH 600V 38A
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Microsemi 美高森美

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APT6015LVRG和APT6015LVR的区别

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