APT48M80L概述
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The power MOSFET from provides the solution. Its maximum power dissipation is 1135000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
APT48M80L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 48.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
耗散功率 1.135 kW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 9330pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.31 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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