APT48M80B2

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APT48M80B2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 48.0 A

耗散功率 1135W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 48.0 A

输入电容Ciss 9330pF @25VVds

额定功率Max 1135 W

耗散功率Max 1135W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT48M80B2
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

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