APT94N65B2C6

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APT94N65B2C6概述

T-MAX N-CH 650V 95A

Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 833000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

APT94N65B2C6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 833 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 95A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 8140pF @25VVds

下降时间 172 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 833W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT94N65B2C6
型号: APT94N65B2C6
描述:T-MAX N-CH 650V 95A

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