APT20M18B2VFRG

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APT20M18B2VFRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

耗散功率 625 W

输入电容 9.88 nF

栅电荷 330 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 9880pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 T-MAX

外形尺寸

封装 T-MAX

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT20M18B2VFRG
型号: APT20M18B2VFRG
制造商: Microsemi 美高森美
描述:T-MAX N-CH 200V 100A
替代型号APT20M18B2VFRG
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APT20M18B2VFRG

Microsemi 美高森美

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APT20M18B2VFR

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