TO-264 N-CH 800V 27A
This power MOSFET from can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 520000 mW. This device utilizes power mos v technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
额定电压DC 800 V
额定电流 27.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 7.90 nF
栅电荷 510 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 27.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264
封装 TO-264
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT8030LVRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT8030LVR 美高森美 | 类似代替 | APT8030LVRG和APT8030LVR的区别 |