极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2380pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
APT5025BN
Microsemi 美高森美
当前型号
APT8075BN
美高森美
类似代替
STW19NM50N
意法半导体
功能相似
STW20NM50FD