APT10050B2VFRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 7.90 nF
栅电荷 500 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-MAX
外形尺寸
封装 T-MAX
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号APT10050B2VFRG
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT10050B2VFRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT10050B2VRG 美高森美 | 完全替代 | APT10050B2VFRG和APT10050B2VRG的区别 |
IXFX21N100Q IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT10050B2VFRG和IXFX21N100Q的区别 |