APT150GN60LDQ4G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

APT150GN60LDQ4G图片1

APT150GN60LDQ4G图片2

APT150GN60LDQ4G图片3

APT150GN60LDQ4G图片4

APT150GN60LDQ4G图片5

APT150GN60LDQ4G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 536 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 536 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 536000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT150GN60LDQ4G

型号： APT150GN60LDQ4G

制造商： Microsemi 美高森美

描述：迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

替代型号APT150GN60LDQ4G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

APT150GN60LDQ4G

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

APT150GN60LDQ4

美高森美

功能相似

APT150GN60LDQ4G和APT150GN60LDQ4的区别