APT75GP120B2G概述
APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3
You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 1042000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.
APT75GP120B2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 100 A
耗散功率 1.042 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 1042 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1042000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买APT75GP120B2G
型号： APT75GP120B2G
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3