APT26F120L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 26.0 A
漏源极电阻 480 mΩ
耗散功率 1.135 kW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 9670pF @25VVds
额定功率Max 1135 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 26.49 mm
宽度 20.5 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT26F120L
型号： APT26F120L
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns
替代型号APT26F120L
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT26F120L Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT26F120B2 美高森美 | 功能相似 | APT26F120L和APT26F120B2的区别 |