APT100GN120B2G

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APT100GN120B2G概述

迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

This fast-switching IGBT transistor from will be perfect in your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 960000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

APT100GN120B2G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 960000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 960 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT100GN120B2G
型号: APT100GN120B2G
描述:迅雷IGBT Thunderbolt IGBT
替代型号APT100GN120B2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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