APT51M50J中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 51.0 A
耗散功率 480000 mW
输入电容 11.6 nF
栅电荷 290 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 51.0 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 11600pF @25VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT51M50J
替代型号APT51M50J
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