APT150GN60J

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APT150GN60J中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 220 A

耗散功率 536000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9.2nF @25V

额定功率Max 536 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 536000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT150GN60J
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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