APT75GT120JU2

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APT75GT120JU2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 416000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.34nF @25V

额定功率Max 416 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 416000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT75GT120JU2
型号: APT75GT120JU2
描述:APT75GT120JU2 单 1200 V 100 A 416 W 沟槽式和场截止 IGBT - SOT-227

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