额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
耗散功率 462 W
输入电容 8.50 nF
栅电荷 260 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 8500pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 462W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT21M100J Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT10050JVFR 美高森美 | 类似代替 | APT21M100J和APT10050JVFR的区别 |
IXTN21N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT21M100J和IXTN21N100的区别 |
APT10043JVR Advanced Power Technology | 功能相似 | APT21M100J和APT10043JVR的区别 |