APT10M11JVRU3

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APT10M11JVRU3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 450000 mW

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 142A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 8600pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT10M11JVRU3
型号: APT10M11JVRU3
描述:ISOTOP降压斩波MOSFET功率模块 ISOTOP Buck chopper MOSFET Power Module

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