APT5010JVRU3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 450 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 44A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 7410pF @25VVds
额定功率Max 450 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.4 mm
高度 12.24 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT5010JVRU3
型号： APT5010JVRU3
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：ISOTOP降压斩波MOSFET功率模块 ISOTOP Buck chopper MOSFET Power Module