Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247
Ideal for radio frequency environments this RF amplifier from is perfect for amplifying and switching electronic signals. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 100 MHz. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 81.36 MHz
额定电流 9 A
耗散功率 180000 mW
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500V min
上升时间 4.1 ns
输出功率 100 W
增益 15 dB
测试电流 50 mA
输入电容Ciss 1200pF @50VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
额定电压 500 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ARF463AG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ARF463AP1G 美高森美 | 类似代替 | ARF463AG和ARF463AP1G的区别 |
ARF463BP1G 美高森美 | 类似代替 | ARF463AG和ARF463BP1G的区别 |