APTGT75A60T1G

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APTGT75A60T1G概述

相脚沟道+场站IGBT ?电源模块 Phase leg Trench + Field Stop IGBT? Power Module

This infineon IGBT module from will be able to handle large currents while still performing. Its maximum power dissipation is 250000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. It is made in a dual configuration. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 175 °C.

APTGT75A60T1G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.62nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

长度 51.6 mm

宽度 40.8 mm

高度 11.5 mm

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: APTGT75A60T1G
描述:相脚沟道+场站IGBT ?电源模块 Phase leg Trench + Field Stop IGBT? Power Module

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