APT50M75JLLU2

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APT50M75JLLU2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 75 mΩ

耗散功率 290 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 5590pF @25VVds

额定功率Max 290 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.4 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT50M75JLLU2
型号: APT50M75JLLU2
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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