APT77N60JC3概述
超级结MOSFET Super Junction MOSFET
As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 568000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
APT77N60JC3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 77.0 A
通道数 1
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 568 W
阈值电压 2.1 V
输入电容 13.6 nF
栅电荷 640 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 77.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 13600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 568W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.4 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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