Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247
This RF amplifier from is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. Its maximum frequency is 100 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.
频率 81.36 MHz
耗散功率 180000 mW
上升时间 4.3 ns
输出功率 100 W
增益 15 dB
输入电容Ciss 670pF @50VVds
输出功率Max 100 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
额定电压 500 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ARF463AP1G Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ARF463BP1G 美高森美 | 完全替代 | ARF463AP1G和ARF463BP1G的区别 |
ARF463AG 美高森美 | 类似代替 | ARF463AP1G和ARF463AG的区别 |