APT50M50L2LLG

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APT50M50L2LLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 89.0 A

耗散功率 893 W

输入电容 10.6 nF

栅电荷 200 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 89.0 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 10550pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 893000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264

外形尺寸

封装 TO-264

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT50M50L2LLG
型号: APT50M50L2LLG
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3Pin3+Tab TO-264 MAX
替代型号APT50M50L2LLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT50M50L2LLG

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

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完全替代

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