APT85GR120JD60

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APT85GR120JD60概述

APT85GR120JD60 单 1200 V 116 A 543 W IGBT - TO-247-4

The infineon IGBT module from will work effectively even with higher currents. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 595000 mW. It is made in a single configuration. This device utilizes npt technology. This IGBT driver board has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT85GR120JD60中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 595 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8.4nF @25V

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT85GR120JD60
型号: APT85GR120JD60
描述:APT85GR120JD60 单 1200 V 116 A 543 W IGBT - TO-247-4

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