APT30M40JVFR

APT30M40JVFR图片1
APT30M40JVFR图片2
APT30M40JVFR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 70.0 A

耗散功率 450W Tc

输入电容 10.2 nF

栅电荷 425 nC

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 10200pF @25VVds

额定功率Max 450 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT30M40JVFR
型号: APT30M40JVFR
描述:Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227
替代型号APT30M40JVFR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT30M40JVFR

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

APT30M40JVR

美高森美

类似代替

APT30M40JVFR和APT30M40JVR的区别

IXFN73N30

IXYS Semiconductor

功能相似

APT30M40JVFR和IXFN73N30的区别

IXFN73N30Q

IXYS Semiconductor

功能相似

APT30M40JVFR和IXFN73N30Q的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台