APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G概述

升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

底座安装 N 通道 18A(Tc) 390W(Tc) SP1


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 18A 12-Pin Case SP-1


APTM120DA56T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 390W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 7736pF @25VVds

额定功率Max 390 W

耗散功率Max 390W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM120DA56T1G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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