APT26M100JCU2

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APT26M100JCU2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 543W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 7868pF @25VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 543W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT26M100JCU2
型号: APT26M100JCU2
描述:ISOTOP ?升压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module
替代型号APT26M100JCU2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT26M100JCU2

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