耗散功率 543W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 7868pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 543W Tc
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
APT26M100JCU2
Microsemi 美高森美
当前型号