Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin SOT-227
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then "s power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 460000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with power mos v technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
耗散功率 460 W
阈值电压 3 V
输入电容 4.35 nF
栅电荷 154 nC
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1 kV
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4350pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.4 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT10045JLL Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT10045JFLL 美高森美 | 类似代替 | APT10045JLL和APT10045JFLL的区别 |
APT10050JVR 美高森美 | 类似代替 | APT10045JLL和APT10050JVR的区别 |
IXFN24N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT10045JLL和IXFN24N100的区别 |