APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 390W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 7868pF @25VVds

额定功率Max 390 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 390W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM100SK33T1G
型号: APTM100SK33T1G
描述:降压斩波器的MOSFET功率模块 Buck chopper MOSFET Power Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台