APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G概述

升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

N-Channel 1000V 23A Tc 390W Tc Chassis Mount SP1


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 23A 12-Pin Case SP-1


APTM100DA33T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 390W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 23A

输入电容Ciss 7868pF @25VVds

额定功率Max 390 W

耗散功率Max 390W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM100DA33T1G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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