APTGF50DH60T1G

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APTGF50DH60T1G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 2.2nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGF50DH60T1G
型号: APTGF50DH60T1G
描述:非对称 - 桥NPT IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

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