APT50N60JCCU2

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APT50N60JCCU2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 290000 mW

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT50N60JCCU2
描述:ISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP? Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
替代型号APT50N60JCCU2
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