耗散功率 290000 mW
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
APT50N60JCCU2
Microsemi 美高森美
当前型号
APT50N60JCU2
美高森美
类似代替
MKE38RK600DFELB-TRR
IXYS Semiconductor
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