APTC60DDAM70T1G

APTC60DDAM70T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 39A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 10

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTC60DDAM70T1G
描述:双升压斩波超级结MOSFET功率模块 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

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