APT6010JFLL

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APT6010JFLL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 47.0 A

耗散功率 520 W

输入电容 6.71 nF

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 47.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 6710pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT6010JFLL
型号: APT6010JFLL
描述:功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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