额定电压DC 1.00 kV
额定电流 28.0 A
通道数 1
漏源极电阻 350 mΩ
耗散功率 520 W
阈值电压 3 V
输入电容 5.18 nF
栅电荷 186 nC
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5185pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38 mm
宽度 25.2 mm
高度 8.9 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT10035JLL Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT10035JFLL 美高森美 | 类似代替 | APT10035JLL和APT10035JFLL的区别 |
APT10050JVFR 美高森美 | 类似代替 | APT10035JLL和APT10050JVFR的区别 |
IXTN21N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT10035JLL和IXTN21N100的区别 |