漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5448pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
安装方式 Through Hole
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
APTM50H15FT1G
Microsemi 美高森美
当前型号
APTM50AM70FT1G
美高森美
类似代替
APTM60H23FT1G
APTM50A15FT1G